極薄GeO2界面層を有するZr系high-k/Geゲートスタック構造の形成

Translated title of the contribution: Fabrication of Zr-Based High-k/Ge Gate Stack Structure with Ultra Thin GeO2 Interlayer

平山佳奈, 岩村義明, 上野隆二, 楊海貴, 王冬, 中島寛

Research output: Contribution to journal › Article › peer-review

Translated title of the contribution	Fabrication of Zr-Based High-k/Ge Gate Stack Structure with Ultra Thin GeO2 Interlayer
Original language	Japanese
Pages (from-to)	5-11
Number of pages	7
Journal	九州大学大学院総合理工学報告
Volume	32
Issue number	3
DOIs	https://doi.org/10.15017/18541
Publication status	Published - Nov 2010

Access to Document

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TY - JOUR

T1 - 極薄GeO2界面層を有するZr系high-k/Geゲートスタック構造の形成

AU - 平山, 佳奈

AU - 岩村, 義明

AU - 上野, 隆二

AU - 楊, 海貴

AU - 王, 冬

AU - 中島, 寛

PY - 2010/11

Y1 - 2010/11

U2 - 10.15017/18541

DO - 10.15017/18541

M3 - 学術誌

VL - 32

SP - 5

EP - 11

JO - 九州大学大学院総合理工学報告

JF - 九州大学大学院総合理工学報告

SN - 1346-7883

IS - 3

ER -