Abstract
フレキシブルな高速薄膜トランジスタ(TFT)の実現には，高移動度を有する半導体薄膜をプラスチックの軟化温度(∼300<sup>o</sup>C)以下の極低温で高品質形成する必要がある．我々は，共晶温度の低いAu/Ge系（共晶点: 361<sup>o</sup>C）に着目し，高移動度半導体(Ge)の低温成長を検討した．非晶質Ge（100 nm）/ Au（100 nm）の積層構造を石英基板上に作製した．熱処理（200∼400<sup>o</sup>C）後の試料の組成分布の変化と結晶性を評価した処，低温(250<sup>o</sup>C)で，Ge/Auが層交換すると共に，Geが結晶化することが明らかとなった．フレキシブルな高速TFTの実現を加速する画期的な成果である．
| Translated title of the contribution | Low-Temperature (∼250<sup>o</sup>) Formation of Ge on Insulator by Gold-Induced Crystallization |
|---|---|
| Original language | Undefined/Unknown |
| Pages (from-to) | 584-585 |
| Number of pages | 2 |
| Journal | 電気関係学会九州支部連合大会講演論文集 |
| Volume | 2010 |
| Issue number | 0 |
| DOIs | |
| Publication status | Published - 2010 |