Au誘起層交換成長法によるGe結晶/絶縁膜の極低温形成(∼250<sup>o</sup>)

Translated title of the contribution: Low-Temperature (∼250<sup>o</sup>) Formation of Ge on Insulator by Gold-Induced Crystallization

朴 ジョンヒョク, 黒澤 昌志, 川畑 直之, 宮尾 正信, 佐道 泰造

Research output: Contribution to journalArticle

Abstract

フレキシブルな高速薄膜トランジスタ(TFT)の実現には,高移動度を有する半導体薄膜をプラスチックの軟化温度(∼300<sup>o</sup>C)以下の極低温で高品質形成する必要がある.我々は,共晶温度の低いAu/Ge系(共晶点: 361<sup>o</sup>C)に着目し,高移動度半導体(Ge)の低温成長を検討した.非晶質Ge(100 nm)/ Au(100 nm)の積層構造を石英基板上に作製した.熱処理(200∼400<sup>o</sup>C)後の試料の組成分布の変化と結晶性を評価した処,低温(250<sup>o</sup>C)で,Ge/Auが層交換すると共に,Geが結晶化することが明らかとなった.フレキシブルな高速TFTの実現を加速する画期的な成果である.
Translated title of the contributionLow-Temperature (∼250<sup>o</sup>) Formation of Ge on Insulator by Gold-Induced Crystallization
Original languageUndefined/Unknown
Pages (from-to)584-585
Number of pages2
Journal電気関係学会九州支部連合大会講演論文集
Volume2010
Issue number0
DOIs
Publication statusPublished - 2010

Fingerprint Dive into the research topics of 'Low-Temperature (∼250<sup>o</sup>) Formation of Ge on Insulator by Gold-Induced Crystallization'. Together they form a unique fingerprint.

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