Si結晶中のき裂先端転位とその内部応力場の赤外光弾性法による可視化,

Masaki Tanaka, Kenji Higashda, Yumi Hoshino

Research output: Chapter in Book/Report/Conference proceedingEntry for encyclopedia/dictionary

Original languageJapanese
Title of host publication材料開発のための顕微鏡法と応用写真集
PublisherJapan Institute of Metals (JIM)
Pages186
Publication statusPublished - 2012

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Tanaka, M., Higashda, K., & Hoshino, Y. (2012). Si結晶中のき裂先端転位とその内部応力場の赤外光弾性法による可視化, In 材料開発のための顕微鏡法と応用写真集 (pp. 186). Japan Institute of Metals (JIM).

Si結晶中のき裂先端転位とその内部応力場の赤外光弾性法による可視化, / Tanaka, Masaki; Higashda, Kenji; Hoshino, Yumi.

材料開発のための顕微鏡法と応用写真集. Japan Institute of Metals (JIM), 2012. p. 186.

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Tanaka, M, Higashda, K & Hoshino, Y 2012, Si結晶中のき裂先端転位とその内部応力場の赤外光弾性法による可視化, in 材料開発のための顕微鏡法と応用写真集. Japan Institute of Metals (JIM), pp. 186.
Tanaka M, Higashda K, Hoshino Y. Si結晶中のき裂先端転位とその内部応力場の赤外光弾性法による可視化, In 材料開発のための顕微鏡法と応用写真集. Japan Institute of Metals (JIM). 2012. p. 186
Tanaka, Masaki ; Higashda, Kenji ; Hoshino, Yumi. / Si結晶中のき裂先端転位とその内部応力場の赤外光弾性法による可視化,. 材料開発のための顕微鏡法と応用写真集. Japan Institute of Metals (JIM), 2012. pp. 186
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PY - 2012

Y1 - 2012

M3 - 百科事典/辞書の記事

SP - 186

BT - 材料開発のための顕微鏡法と応用写真集

PB - Japan Institute of Metals (JIM)

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