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研究成果 1982 2019

Fabrication and characterization of asymmetric metal/Ge/metal diodes with Ge-on-insulator substrate

Maekrua, T., Goto, T., Nakae, K., Yamamoto, K., Nakashima, H. & Wang, D., 1 1 2019, : : Japanese Journal of Applied Physics. 58, SB, SBBE05.

研究成果: ジャーナルへの寄稿記事

公開
Electroluminescence
Diodes
diodes
insulators
Fabrication
公開
Field effect transistors
field effect transistors
insulators
space transportation system
Metals

Border trap evaluation for SiO2/GeO2/Ge gate stacks using deep-level transient spectroscopy

Wen, W. C., Yamamoto, K., Wang, D. & Nakashima, H., 11 28 2018, : : Journal of Applied Physics. 124, 20, 205303.

研究成果: ジャーナルへの寄稿記事

borders
metal oxide semiconductors
traps
capacitors
evaluation
5 引用 (Scopus)

Electrical properties of pseudo-single-crystalline Ge films grown by Au-induced layer exchange crystallization at 250 °c

Higashi, H., Kudo, K., Yamamoto, K., Yamada, S., Kanashima, T., Tsunoda, I., Nakashima, H. & Hamaya, K., 6 7 2018, : : Journal of Applied Physics. 123, 21, 215704.

研究成果: ジャーナルへの寄稿記事

electrical properties
crystallization
transistors
contamination
leakage
7 引用 (Scopus)

Two-step synthesis and characterization of vertically stacked SnS-WS2 and SnS-MoS2 p-n heterojunctions

Sukma Aji, A., Izumoto, M., Suenaga, K., Yamamoto, K., Nakashima, H. & Ago, H., 1 1 2018, : : Physical Chemistry Chemical Physics. 20, 2, p. 889-897 9 p.

研究成果: ジャーナルへの寄稿記事

Heterojunctions
heterojunctions
synthesis
Chemical vapor deposition
vapor deposition