Keisuke Yamamoto

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15 h-index
42 学術誌
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2 学会誌
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その他
- 1 会議記事

Fabrication of Ge-on-Insulator by Epitaxial Growth and Ion-Implanted Exfoliation for Electronics and Optoelectronics Applications
Yamamoto, K., Wang, D. & Nakashima, H., 2021, 240th ECS Meeting - Semiconductor Process Integration 12. 4 ed. IOP Publishing Ltd., p. 157-166 10 p. 157. (ECS Transactions; vol. 104, no. 4).
研究成果: 書籍/レポートタイプへの寄稿 › 会議への寄与
Schottky barrier height control at metal/Ge interface by insertion of nitrogen contained amorphous layer
Yamamoto, K., Wang, D. & Nakashima, H., 2021, 239th ECS Meeting with the 18th International Meeting on Chemical Sensors, IMCS 2021 - High Purity and High Mobility Semiconductors 16. Simoen, E., Kononchuk, O., Nakatsuka, O. & Claeys, C. (eds.). 4 ed. IOP Publishing Ltd., p. 63-71 9 p. (ECS Transactions; vol. 102, no. 4).
研究成果: 書籍/レポートタイプへの寄稿 › 会議への寄与
Sn concentration effects on polycrystalline GeSn thin film transistors
Moto, K., Yamamoto, K., Imajo, T., Suemasu, T., Nakashima, H. & Toko, K., 2021, (印刷中) In: IEEE Electron Device Letters.
研究成果: ジャーナルへの寄稿 › 学術誌 › 査読
Border-trap characterization for Ge gate stacks with Thin GeO_x layer using deep-level transient spectroscopy
Nakashima, H., Wen, W. C., Yamamoto, K. & Wang, D., 2020, PRiME 2020: SiGe, Ge, and Related Compounds: Materials, Processing, and Devices 9. Liu, Q., Hartmann, J. M., Holt, J. R., Gong, X., Jain, V., Niu, G., Masini, G., Ogura, A., Miyazaki, S., Ostling, M., Bi, W., Schulze, A. & Mai, A. (eds.). 5 ed. IOP Publishing Ltd., p. 395-404 10 p. 395. (ECS Transactions; vol. 98, no. 5).
研究成果: 書籍/レポートタイプへの寄稿 › 会議への寄与
Erratum: Border trap evaluation for SiO₂/GeO₂/Ge gate stacks using deep-level transient spectroscopy (J. Appl. Phys. (2018) 124 (205303) DOI: 10.1063/1.505529)
Wen, W. C., Yamamoto, K., Wang, D. & Nakashima, H., 4月 30 2020, In: Journal of Applied Physics. 127, 16, 169901.
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Open Access

山本圭介

フィンガープリント

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Fabrication of Ge-on-Insulator by Epitaxial Growth and Ion-Implanted Exfoliation for Electronics and Optoelectronics Applications

Schottky barrier height control at metal/Ge interface by insertion of nitrogen contained amorphous layer

Sn concentration effects on polycrystalline GeSn thin film transistors

Border-trap characterization for Ge gate stacks with Thin GeO_x layer using deep-level transient spectroscopy

Erratum: Border trap evaluation for SiO₂/GeO₂/Ge gate stacks using deep-level transient spectroscopy (J. Appl. Phys. (2018) 124 (205303) DOI: 10.1063/1.505529)

山本 圭介

フィンガープリント

ネットワーク

研究成果

Fabrication of Ge-on-Insulator by Epitaxial Growth and Ion-Implanted Exfoliation for Electronics and Optoelectronics Applications

Schottky barrier height control at metal/Ge interface by insertion of nitrogen contained amorphous layer

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Border-trap characterization for Ge gate stacks with Thin GeOx layer using deep-level transient spectroscopy

Erratum: Border trap evaluation for SiO2/GeO2/Ge gate stacks using deep-level transient spectroscopy (J. Appl. Phys. (2018) 124 (205303) DOI: 10.1063/1.505529)

山本圭介

Border-trap characterization for Ge gate stacks with Thin GeO_x layer using deep-level transient spectroscopy

Erratum: Border trap evaluation for SiO₂/GeO₂/Ge gate stacks using deep-level transient spectroscopy (J. Appl. Phys. (2018) 124 (205303) DOI: 10.1063/1.505529)