• 422 引用
  • 13 h指数
20062020

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研究成果

  • 422 引用
  • 13 h指数
  • 41 Article
  • 10 Conference contribution
  • 1 Conference article
  • 公開
  • Border-trap characterization for Ge gate stacks using deep-level transient spectroscopy

    Nakashima, H., Wen, W. C., Yamamoto, K. & Wang, D., 1 1 2019, Semiconductor Process Integration 11. Murota, J., Claeys, C., Iwai, H., Tao, M., Deleonibus, S., Mai, A., Shiojima, K. & Cao, Y. (版). 4 版 Electrochemical Society Inc., p. 3-10 8 p. (ECS Transactions; 巻数 92, 番号 4).

    研究成果: Chapter in Book/Report/Conference proceedingConference contribution

  • Conduction type control of ge-on-insulator: Combination of smart-CutTM and defect elimination

    Yamamoto, K., Nakae, K., Akamine, H., Wang, D., Nakashima, H., Alam, M. M., Sawano, K., Xue, Z., Zhang, M. & Di, Z., 1 1 2019, ECS Transactions. Eriksson, M. A. & Lagally, M. G. (版). 1 版 Institute of Physics Publishing, p. 73-77 5 p. (ECS Transactions; 巻数 93, 番号 1).

    研究成果: Chapter in Book/Report/Conference proceedingConference contribution

  • Fabrication and characterization of asymmetric metal/Ge/metal diodes with Ge-on-insulator substrate

    Maekrua, T., Goto, T., Nakae, K., Yamamoto, K., Nakashima, H. & Wang, D., 1 1 2019, : : Japanese Journal of Applied Physics. 58, SB, SBBE05.

    研究成果: Contribution to journalArticle

    公開
  • 1 引用 (Scopus)