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研究成果 1980 2020

3D numerical study of the asymmetric phenomenon in 200 mm floating zone silicon crystal growth

Han, X. F., Liu, X., Nakano, S., Harada, H., Miyamura, Y. & Kakimoto, K., 2 15 2020, : : Journal of Crystal Growth. 532, 125403.

研究成果: ジャーナルへの寄稿記事

Silicon
Crystallization
Crystal growth
floating
crystal growth

Transient global modeling for the pulling process of Czochralski silicon crystal growth. I. Principles, formulation, and implementation of the model

Liu, X., Harada, H., Miyamura, Y., Han, X. F., Nakano, S., Nishizawa, S. I. & Kakimoto, K., 2 15 2020, : : Journal of Crystal Growth. 532, 125405.

研究成果: ジャーナルへの寄稿記事

pulling
Silicon
Crystallization
Crystal growth
crystal growth

Transient global modeling for the pulling process of Czochralski silicon crystal growth. II. Investigation on segregation of oxygen and carbon

Liu, X., Harada, H., Miyamura, Y., Han, X. F., Nakano, S., Nishizawa, S. I. & Kakimoto, K., 2 15 2020, : : Journal of Crystal Growth. 532, 125404.

研究成果: ジャーナルへの寄稿記事

pulling
Silicon
Crystallization
Crystal growth
crystal growth

In-situ measurement of CO gas concentration in a Czochralski furnace of silicon crystals

Miyamura, Y., Harada, H., Liu, X., Nakano, S., Nishizawa, S. & Kakimoto, K., 2 1 2019, : : Journal of Crystal Growth. 507, p. 154-156 3 p.

研究成果: ジャーナルへの寄稿記事

Silicon
Carbon Monoxide
in situ measurement
furnaces
contamination
2 引用 (Scopus)

Time-dependent behavior of melt flow in the industrial scale silicon Czochralski growth with a transverse magnetic field

Yokoyama, R., Nakamura, T., Sugimura, W., Ono, T., Fujiwara, T. & Kakimoto, K., 8 1 2019, : : Journal of Crystal Growth. 519, p. 77-83 7 p.

研究成果: ジャーナルへの寄稿記事

公開
Crystal growth from melt
Silicon
Magnetic fields
Computer simulation
silicon