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  • 3 同様のプロファイル

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研究成果

Bipolar Transistor Test Structures for Extracting Minority Carrier Lifetime in IGBTs

Takeuchi, K., Fukui, M., Saraya, T., Itou, K., Takakura, T., Suzuki, S., Numasawa, Y., Shigyo, N., Kakushima, K., Hoshii, T., Furukawa, K., Watanabe, M., Wakabayashi, H., Tsutsui, K., Iwai, H., Ogura, A., Saito, W., Nishizawa, S. I., Tsukuda, M., Omura, I. および2人, Ohashi, H. & Hiramoto, T., 5 2020, : : IEEE Transactions on Semiconductor Manufacturing. 33, 2, p. 159-165 7 p., 8986674.

研究成果: ジャーナルへの寄稿記事

  • CSTBT™ technology for high voltage applications with high dynamic robustness and low overall loss

    Nakamura, K., Chen, Z., Nishizawa, S. I. & Furukawa, A., 7 2020, : : Microelectronics Reliability. 110, 113635.

    研究成果: ジャーナルへの寄稿記事

  • Editorial

    Derby, J. J., Kakimoto, K. & Nishizawa, S. I., 5 15 2020, : : Journal of Crystal Growth. 538, 125594.

    研究成果: ジャーナルへの寄稿編集

    Impact of structural parameter scaling on on-state voltage in 1200 v scaled IGBTs

    Saraya, T., Itou, K., Takakura, T., Fukui, M., Suzuki, S., Takeuchi, K., Kakushima, K., Hoshii, T., Tsutsui, K., Iwai, H., Nishizawa, S. I., Omura, I. & Hiramoto, T., 4 1 2020, : : Japanese Journal of Applied Physics. 59, SG, SGGD18.

    研究成果: ジャーナルへの寄稿記事

  • N-Buffer Design for Silicon-Based Power Diode Targeting High Dynamic Robustness and High Operating Temperature over 448 K

    Nakamura, K., Nishizawa, S. I. & Furukawa, A., 6 2020, : : IEEE Transactions on Electron Devices. 67, 6, p. 2437-2444 8 p., 9098162.

    研究成果: ジャーナルへの寄稿記事