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研究成果 1988 2019

3300V Scaled IGBTs Driven by 5V Gate Voltage

Saraya, T., Itou, K., Takakura, T., Fukui, M., Suzuki, S., Takeuchi, K., Tsukuda, M., Numasawa, Y., Satoh, K., Matsudai, T., Saito, W., Kakushima, K., Hoshii, T., Furukawa, K., Watanabe, M., Shigyo, N., Wakabayashi, H., Tsutsui, K., Iwai, H., Ogura, A. および4人, Nishizawa, S. I., Omura, I., Ohashi, H. & Hiramoto, T., 5 2019, 2019 31st International Symposium on Power Semiconductor Devices and ICs, ISPSD 2019. Institute of Electrical and Electronics Engineers Inc., p. 43-46 4 p. 8757626. (Proceedings of the International Symposium on Power Semiconductor Devices and ICs; 巻数 2019-May).

研究成果: 著書/レポートタイプへの貢献会議での発言

Insulated gate bipolar transistors (IGBT)
Degradation
Electric potential

Analysis of back-gate effect on threshold voltage of p-channel GaN MOSFETs on polarization-junction substrates

Hoshii, T., Nakajima, A., Nishizawa, S., Ohashi, H., Kakushima, K., Wakabayashi, H. & Tsutsui, K., 1 1 2019, : : Japanese Journal of Applied Physics. 58, 6, 061006.

研究成果: ジャーナルへの寄稿記事

公開
Threshold voltage
threshold voltage
field effect transistors
Polarization
Networks (circuits)
circuit breakers
Electric circuit breakers
Junction gate field effect transistors
direct current
degradation

Demonstration of 1200V Scaled IGBTs Driven by 5V Gate Voltage with Superiorly Low Switching Loss

Saraya, T., Itou, K., Takakura, T., Fukui, M., Suzuki, S., Takeuchi, K., Tsukuda, M., Numasawa, Y., Satoh, K., Matsudai, T., Saito, W., Kakushima, K., Hoshii, T., Furukawa, K., Watanabe, M., Shigyo, N., Tsutsui, K., Iwai, H., Ogura, A., Nishizawa, S. および3人, Omura, I., Ohashi, H. & Hiramoto, T., 1 16 2019, 2018 IEEE International Electron Devices Meeting, IEDM 2018. Institute of Electrical and Electronics Engineers Inc., p. 8.4.1-8.4.4 8614491. (Technical Digest - International Electron Devices Meeting, IEDM; 巻数 2018-December).

研究成果: 著書/レポートタイプへの貢献会議での発言

Insulated gate bipolar transistors (IGBT)
Demonstrations
Electric potential
electric potential
scaling

Effect of nitrogen and aluminium on silicon carbide polytype stability

Nishizawa, S. & F.Mercier, 7 15 2019, : : Journal of Crystal Growth. 518, p. 99-102 4 p.

研究成果: ジャーナルへの寄稿記事

Aluminum
Silicon carbide
silicon carbides
Nitrogen
aluminum