年別の研究成果
年別の研究成果
フィンガープリント
Taizoh Sadohが活動している研究トピックを掘り下げます。このトピックラベルは、この研究者の研究成果に基づきます。これらがまとまってユニークなフィンガープリントを構成します。
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ネットワーク
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Improved Carrier Mobility of Poly-Ge Ultrathin Films on Insulator by Solid-Phase Crystallization Combined with a-Si Capping Layers
Hara, R., Chiyozono, M. & Sadoh, T., 2021, Proceedings of AM-FPD 2021 - 28th International Workshop on Active-Matrix Flatpanel Displays and Devices: TFT Technologies and FPD Materials. Institute of Electrical and Electronics Engineers Inc., p. 106-107 2 p. (Proceedings of AM-FPD 2021 - 28th International Workshop on Active-Matrix Flatpanel Displays and Devices: TFT Technologies and FPD Materials).研究成果: 書籍/レポート タイプへの寄稿 › 会議への寄与
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Low-Temperature Solid-Phase Crystallization of High-Sn Concentration SISn on Insulator
Okamoto, K., Kosugi, T. & Sadoh, T., 2021, Proceedings of AM-FPD 2021 - 28th International Workshop on Active-Matrix Flatpanel Displays and Devices: TFT Technologies and FPD Materials. Institute of Electrical and Electronics Engineers Inc., p. 116-117 2 p. (Proceedings of AM-FPD 2021 - 28th International Workshop on Active-Matrix Flatpanel Displays and Devices: TFT Technologies and FPD Materials).研究成果: 書籍/レポート タイプへの寄稿 › 会議への寄与
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Fabrication of CMOS Invertors in Si Thin-Film-Transistors by Laser Doping Using a Chemical Solution Coating
Imokawa, K., Kurashige, T., Suwa, A., Nakamura, D., Sadoh, T., Goto, T. & Ikenoue, H., 2020, In: IEEE Journal of the Electron Devices Society. 8, p. 27-32 6 p., 8918252.研究成果: ジャーナルへの寄稿 › 学術誌 › 査読
Open Access2 被引用数 (Scopus) -
Improved Carrier Mobility of Sn-Doped Ge Thin-Films (≤50 nm) by Interface-Modulated Solid-Phase Crystallization Combined with Thinning
Chiyozono, M., Gong, X. & Sadoh, T., 9月 2020, Proceedings of AM-FPD 2020 - 27th International Workshop on Active-Matrix Flatpanel Displays and Devices: TFT Technologies and FPD Materials. Institute of Electrical and Electronics Engineers Inc., p. 75-76 2 p. 9224510. (Proceedings of AM-FPD 2020 - 27th International Workshop on Active-Matrix Flatpanel Displays and Devices: TFT Technologies and FPD Materials).研究成果: 書籍/レポート タイプへの寄稿 › 会議への寄与
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Layer-exchange crystallization for low-temperature (∼450 °c) formation of n-type tensile-strained Ge on insulator
Gao, H. & Sadoh, T., 10月 26 2020, In: Applied Physics Letters. 117, 17, 172102.研究成果: ジャーナルへの寄稿 › 学術誌 › 査読
1 被引用数 (Scopus)