年単位の研究成果
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- 9 同様のプロファイル
Crystallization
Engineering & Materials Science
crystallization
Physics & Astronomy
insulators
Physics & Astronomy
Annealing
Engineering & Materials Science
Substrates
Engineering & Materials Science
solid phases
Physics & Astronomy
Temperature
Engineering & Materials Science
Melting
Engineering & Materials Science
ネットワーク
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研究成果 1991 2019
1
引用
(Scopus)
Enhanced mobility of Sn-doped Ge thin-films (≤50nm) on insulator for fully depleted transistors by nucleation-controlled solid-phase crystallization
Xu, C., Gong, X., Miyao, M. & Sadoh, T., 7 22 2019, ： : Applied Physics Letters. 115, 4, 042101.研究成果: ジャーナルへの寄稿 › 記事
公開
solid phases
film thickness
transistors
insulators
nucleation
High mobility sputtered InSb film by blue laser diode annealing
Koswaththage, C. J., Higashizako, T., Okada, T., Sadoh, T., Furuta, M., Bae, B. S. & Noguchi, T., 4 1 2019, ： : AIP Advances. 9, 4, 045009.研究成果: ジャーナルへの寄稿 › 記事
公開
semiconductor lasers
annealing
glass
melting points
radiant flux density
Improved Carrier Mobility of Thin Ge Films on Insulator by Solid-Phase Crystallization Combined with Interface-Modulation
Gong, X., Xu, C. & Sadoh, T., 7 2019, AM-FPD 2019 - 26th International Workshop on Active-Matrix Flatpanel Displays and Devices: TFT Technologies and FPD Materials, Proceedings. Institute of Electrical and Electronics Engineers Inc., 8830601. (AM-FPD 2019 - 26th International Workshop on Active-Matrix Flatpanel Displays and Devices: TFT Technologies and FPD Materials, Proceedings).研究成果: 著書/レポートタイプへの貢献 › 会議での発言
Carrier mobility
Crystallization
carrier mobility
solid phases
Modulation
Lowerature and low-cost excimer laser doping for poly-Si thin-film transistor fabrication
Imokawa, K., Tanaka, N., Suwa, A., Nakamura, D., Sadoh, T., Goto, T. & Ikenoue, H., 1 1 2019, Laser-Based Micro- and Nanoprocessing XIII. Klotzbach, U., Watanabe, A. & Kling, R. (版). SPIE, 109060J. (Proceedings of SPIE - The International Society for Optical Engineering; 巻数 10906).研究成果: 著書/レポートタイプへの貢献 › 会議での発言
Thin-film Transistor
Excimer Laser
Excimer lasers
Thin film transistors
Polysilicon
Low-temperature (∼250°C) gold-induced lateral growth of Sn-doped Ge on insulator enhanced by layer-exchange reaction
Sadoh, T., Sakai, T. & Matsumura, R., 1 1 2019, ： : ECS Journal of Solid State Science and Technology. 8, 10, p. P609-P614研究成果: ジャーナルへの寄稿 › 記事
公開
Gold
Crystallization
Temperature
Annealing
Flexible electronics