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研究成果 1991 2019

フィルター
論文
2010
2 引用 (Scopus)

Crystallization mechanism of a-Ge, a-Si and a-SiGe films by SR soft X-ray irradiation

Nonomura, Y., Isoda, N., Heya, A., Kanda, K., Matsuo, N., Miyamoto, S., Amano, S., Mochizuki, T., Sadoh, T. & Miyao, M., 12 1 2010, p. 707-710. 4 p.

研究成果: 会議への寄与タイプ論文

Storage rings
Crystallization
Irradiation
X rays
Atoms
2004

Formation of high quality SGOI structure by modified oxidation-induced GE condensation process

Sadoh, T., Matsuura, R., Tsunoda, I., Ninomiya, M., Nakamae, M., Enokida, T., Hagino, H. & Miyao, M., 12 1 2004, p. 887-892. 6 p.

研究成果: 会議への寄与タイプ論文

Condensation
Ion implantation
Oxidation
Stress relaxation
Annealing

Thickness dependent growth kinetics in Ni-mediated crystallization of a-sige on insulator

Sadoh, T., Kanno, H., Nakano, O., Kenjo, A. & Miyao, M., 12 1 2004, p. 143-147. 5 p.

研究成果: 会議への寄与タイプ論文

Growth kinetics
Film thickness
Crystallization
Amorphous films
Thin film transistors