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研究成果

  • 2063 引用
  • 22 h指数
  • 39 Conference contribution
  • 31 Article
  • 8 Conference article
  • 3 Paper

Assist Gate MOSFETs for Improvement of On-Resistance and Turn-Off Loss Trade-Off

Saito, W. & Nishizawa, S. I., 7 2020, : : IEEE Electron Device Letters. 41, 7, p. 1060-1062 3 p., 9085363.

研究成果: Contribution to journalArticle

  • Bipolar Transistor Test Structures for Extracting Minority Carrier Lifetime in IGBTs

    Takeuchi, K., Fukui, M., Saraya, T., Itou, K., Takakura, T., Suzuki, S., Numasawa, Y., Shigyo, N., Kakushima, K., Hoshii, T., Furukawa, K., Watanabe, M., Wakabayashi, H., Tsutsui, K., Iwai, H., Ogura, A., Saito, W., Nishizawa, S. I., Tsukuda, M., Omura, I. および2人, Ohashi, H. & Hiramoto, T., 5 2020, : : IEEE Transactions on Semiconductor Manufacturing. 33, 2, p. 159-165 7 p., 8986674.

    研究成果: Contribution to journalArticle

  • High dV/dt Controllability of 1.2kV Si-TCIGBT for High Flexibility Design with Ultra-low Loss Operation

    Luo, P., Ekkanath Madathil, S. N., Nishizawa, S. I. & Saito, W., 3 2020, APEC 2020 - 35th Annual IEEE Applied Power Electronics Conference and Exposition. Institute of Electrical and Electronics Engineers Inc., p. 686-689 4 p. 9124293. (Conference Proceedings - IEEE Applied Power Electronics Conference and Exposition - APEC; 巻数 2020-March).

    研究成果: Chapter in Book/Report/Conference proceedingConference contribution

  • On-Resistance Limit Estimation of 100 V-class Field-Plate Trench Power MOSFETs Optimized Oxide Thickness

    Ogawa, T., Saito, W. & Nishizawa, S. I., 7 2020, : : IEEE Electron Device Letters. 41, 7, p. 1063-1065 3 p., 9109292.

    研究成果: Contribution to journalArticle

  • 3300V Scaled IGBTs Driven by 5V Gate Voltage

    Saraya, T., Itou, K., Takakura, T., Fukui, M., Suzuki, S., Takeuchi, K., Tsukuda, M., Numasawa, Y., Satoh, K., Matsudai, T., Saito, W., Kakushima, K., Hoshii, T., Furukawa, K., Watanabe, M., Shigyo, N., Wakabayashi, H., Tsutsui, K., Iwai, H., Ogura, A. および4人, Nishizawa, S. I., Omura, I., Ohashi, H. & Hiramoto, T., 5 2019, 2019 31st International Symposium on Power Semiconductor Devices and ICs, ISPSD 2019. Institute of Electrical and Electronics Engineers Inc., p. 43-46 4 p. 8757626. (Proceedings of the International Symposium on Power Semiconductor Devices and ICs; 巻数 2019-May).

    研究成果: Chapter in Book/Report/Conference proceedingConference contribution

  • 2 引用 (Scopus)