年別の研究成果
年別の研究成果
フィンガープリント
Wataru Saitoが活動している研究トピックを掘り下げます。このトピックラベルは、この研究者の研究成果に基づきます。これらがまとまってユニークなフィンガープリントを構成します。
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ネットワーク
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研究成果
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A design direction of low-voltage field-plate power MOSFETs for figure-of-merit (FOM) limit
Ogawa, T., Saito, W. & Nishizawa, S. I., 5 2021, In: Japanese journal of applied physics. 60, SB, SBBD16.研究成果: Contribution to journal › Article › 査読
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Investigation of acceptable breakdown voltage variation for parallel-connected SiC MOSFETs during unclamped inductive switching test
Lou, Z., Saito, W. & Nishizawa, S. I., 5 2021, In: Japanese journal of applied physics. 60, SB, SBBD18.研究成果: Contribution to journal › Article › 査読
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True Breakdown Voltage and Overvoltage Margin of GaN Power HEMTs in Hard Switching
Kozak, J. P., Zhang, R., Song, Q., Liu, J., Saito, W. & Zhang, Y., 4 2021, In: IEEE Electron Device Letters. 42, 4, p. 505-508 4 p., 9367212.研究成果: Contribution to journal › Article › 査読
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Turn-OFF dV/dt Controllability in 1.2-kV MOS-Bipolar Devices
Luo, P., Madathil, S. N. E., Nishizawa, S. I. & Saito, W., 3 2021, In: IEEE Transactions on Power Electronics. 36, 3, p. 3304-3311 8 p., 9159936.研究成果: Contribution to journal › Article › 査読
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3.3 kV back-gate-controlled IGBT (BC-IGBT) using manufacturable double-side process technology
Saraya, T., Itou, K., Takakura, T., Fukui, M., Suzuki, S., Takeuchi, K., Tsukuda, M., Satoh, K., Matsudai, T., Kakushima, K., Hoshii, T., Tsutsui, K., Iwai, H., Ogura, A., Saito, W., Nishizawa, S., Omura, I., Ohashi, H. & Hiramoto, T., 12 12 2020, 2020 IEEE International Electron Devices Meeting, IEDM 2020. Institute of Electrical and Electronics Engineers Inc., p. 5.3.1-5.3.4 9371909. (Technical Digest - International Electron Devices Meeting, IEDM; vol. 2020-December).研究成果: Chapter in Book/Report/Conference proceeding › Conference contribution