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研究成果 1999 2019

CH 4 Adsorption Probability on GaN(0001) and (000-1) during Metalorganic Vapor Phase Epitaxy and Its Relationship to Carbon Contamination in the Films

Kusaba, A., Li, G., Kempisty, P., von Spakovsky, M. R. & Kangawa, Y., 3 1 2019, : : Materials. 16, 6, 972.

研究成果: ジャーナルへの寄稿記事

公開
Metallorganic vapor phase epitaxy
Contamination
Carbon
Adsorption
Thermodynamics

First-principle study of ammonia decomposition and nitrogen incorporation on the GaN surface in metal organic vapor phase epitaxy

Bui, K. M., Iwata, J. I., Kangawa, Y., Shiraishi, K., Shigeta, Y. & Oshiyama, A., 2 1 2019, : : Journal of Crystal Growth. 507, p. 421-424 4 p.

研究成果: ジャーナルへの寄稿記事

Vapor phase epitaxy
Ammonia
vapor phase epitaxy
ammonia
Nitrogen

Kinetic-thermodynamic model for carbon incorporation during step-flow growth of GaN by metalorganic vapor phase epitaxy

Inatomi, Y., Kangawa, Y., Pimpinelli, A. & Einstein, T. L., 1 2 2019, : : Physical Review Materials. 3, 1, 013401.

研究成果: ジャーナルへの寄稿記事

Metallorganic vapor phase epitaxy
vapor phase epitaxy
Carbon
Thermodynamics
Partial pressure

Atomic arrangement and in composition in InGaN quantum wells

Kangawa, Y., 1 1 2018, Springer Series in Materials Science. Springer Verlag, p. 109-124 16 p. (Springer Series in Materials Science; 巻数 269).

研究成果: 著書/レポートタイプへの貢献

Indium
Epitaxial layers
Semiconductor quantum wells
Defects
Chemical analysis

First-principles study of polar, nonpolar, and semipolar GaN surfaces during oxide vapor phase epitaxy growth

Kawamura, T., Kitamoto, A., Imade, M., Yoshimura, M., Mori, Y., Morikawa, Y., Kangawa, Y., Kakimoto, K. & Akiyama, T., 11 1 2018, : : Japanese Journal of Applied Physics. 57, 11, 115504.

研究成果: ジャーナルへの寄稿記事

Vapor phase epitaxy
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Oxides
oxides
Desorption