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プロファイル
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Scopus著者プロファイル
寒川 義裕
Professor
国立大学法人 九州大学
,
新エネルギー力学部門
ウェブサイト
https://hyoka.ofc.kyushu-u.ac.jp/search/details/K002652/index.html
h-index
1540
被引用数
21
h 指数
Pureの文献数とScopusの被引用数に基づいて算出されます
1999
2023
年別の研究成果
概要
フィンガープリント
ネットワーク
研究成果
(154)
類似のプロファイル
(6)
Pureに変更を加えた場合、すぐここに表示されます。
フィンガープリント
Yoshihiro Kangawaが活動している研究トピックを掘り下げます。このトピックラベルは、この研究者の研究成果に基づきます。これらがまとまってユニークなフィンガープリントを構成します。
並べ替え順
重み付け
アルファベット順
Physics
Growth
92%
Calculation
29%
Vapor Phase Epitaxy
28%
Thermodynamics
25%
Thin Films
22%
Gases
21%
Atoms
21%
Thermodynamic Analysis
20%
Substrates
20%
Stability
19%
Metalorganic Vapor Phase Epitaxy
19%
Temperature
18%
Model
18%
Solid State
18%
Pressure
17%
Ratios
16%
Silicon
16%
Region
14%
Nitrogen
13%
Impurities
13%
Solidification
12%
Adsorption
11%
Simulation
11%
First-Principles
10%
Crystals
10%
Vapor Phase
9%
Molecular Beam Epitaxy
9%
Decomposition
9%
Thermal Conductivity
9%
Adatoms
8%
Ingot
8%
Hydrogen
8%
Dislocation
8%
Phase Diagrams
8%
Sites
8%
Growth Rate
8%
Zinc Sulfide
8%
Kinetics
7%
Entropy
7%
Differences
6%
Laser
6%
High Temperature
6%
Structural Stability
6%
Crystal Growth
6%
Energy Gaps (Solid State)
6%
Rotation
6%
Alloy
6%
Laser Pulse
6%
Algorithms
6%
Vapor
5%
Chemistry
Surface
90%
Procedure
34%
Atom
28%
Vapor Phase Epitaxy
27%
Reaction Temperature
22%
Energy
17%
Organic Metal
15%
Structure
14%
Thermodynamics
14%
Decomposition
14%
Metallorganic Chemical Vapor Deposition
13%
Monte Carlo Method
12%
Desorption
12%
Pressure
12%
Molecular Dynamics
11%
Adatoms
11%
Epitaxial Growth
11%
Chemical Reaction
11%
Potential
10%
Analytical Method
10%
Phase Diagrams
9%
Ammonia
9%
Gas
9%
X-Ray Diffraction
9%
Enthalpy
9%
Concentration
9%
First Principle
9%
Chemical Potential
9%
Ab Initio Calculation
9%
Semiconductor
8%
Partial Pressure
8%
Surface Reconstruction
8%
Entropy
7%
Thermodynamic Analysis
7%
Adsorption
7%
Impurity
7%
Nitrogen
7%
Density
6%
Interatomic Potential
6%
Chemical Kinetics Characteristics
6%
Simulation
6%
Hydrogen
6%
Crystal Growth
6%
Diffusion
6%
Phase Composition
6%
Aqueous Solution
6%
Solid
6%
Liquid Film
6%
Thermal Conductivity
6%
Polarization
6%
Material Science
Surface
100%
Aluminum Nitride
49%
Thin Films
34%
Gallium Arsenide
31%
Gas
21%
Liquid Films
18%
Buffer Layer
16%
Vapor Phase Epitaxy
14%
Solid
14%
Impurity
12%
Crystal
12%
Temperature
12%
Material
11%
Solution
10%
Dislocation
10%
Crystal Growth
9%
Nitride Semiconductor
8%
Semiconductor Material
7%
Gallium Nitride
7%
Defect
7%
Surface Reconstruction
7%
Growth Rate
6%
Monolayers
6%
Metal
5%
Desorption
5%
Epilayers
5%
Solvent
5%
Epitaxial Layer
5%
Silicon Nitride
5%
