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Scopus著者プロファイル
宮村 佳児
Post-doctoral Fellow
教授
,
国立大学法人 九州大学
,
附属自然エネルギー統合利用センター
ウェブサイト
https://hyoka.ofc.kyushu-u.ac.jp/search/details/K005827/index.html
h-index
630
被引用数
14
h 指数
Pureの文献数とScopusの被引用数に基づいて算出されます
1995 …
2021
年別の研究成果
概要
フィンガープリント
ネットワーク
研究成果
(63)
類似のプロファイル
(1)
Pureに変更を加えた場合、すぐここに表示されます。
フィンガープリント
Yoshiji Miyamuraが活動している研究トピックを掘り下げます。このトピックラベルは、この研究者の研究成果に基づきます。これらがまとまってユニークなフィンガープリントを構成します。
1
類似のプロファイル
Silicon
Physics
100%
Dislocation
Physics
97%
Ingot
Physics
93%
Crystal
Material Science
83%
Crystals
Physics
78%
Wafer
Physics
54%
Growth
Physics
51%
Crystal Growth
Physics
47%
ネットワーク
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研究成果
年別の研究成果
1995
1996
2012
2013
2014
2015
2016
2018
2020
2021
45
学術誌
11
会議への寄与
3
学会誌
3
会議記事
1
その他
1
総説
年別の研究成果
年別の研究成果
Carbon monoxide concentrations in a Czochralski growth furnace
Miyamura, Y.
,
Harada, H.
,
Nakano, S.
,
Nishizawa, S.
&
Kakimoto, K.
,
3月 15 2021
,
In:
Journal of Crystal Growth.
558
, 126015.
研究成果
:
ジャーナルへの寄稿
›
学術誌
›
査読
Quartz
100%
Carbon Monoxide
58%
Silicon
33%
Heating
25%
Outgassing
25%
1
被引用数 (Scopus)
3d numerical analysis of the asymmetric three-phase line of floating zone for silicon crystal growth
Han, X. F.
,
Liu, X.
,
Nakano, S.
,
Harada, H.
,
Miyamura, Y.
&
Kakimoto, K.
,
2月 2020
,
In:
Crystals.
10
,
2
, 121.
研究成果
:
ジャーナルへの寄稿
›
学術誌
›
査読
Open Access
Phase Line
100%
Asymmetry
80%
Heating
60%
Floating Zone
40%
Silicon
40%
2
被引用数 (Scopus)
3D numerical study of the asymmetric phenomenon in 200 mm floating zone silicon crystal growth
Han, X. F.
,
Liu, X.
,
Nakano, S.
,
Harada, H.
,
Miyamura, Y.
&
Kakimoto, K.
,
2月 15 2020
,
In:
Journal of Crystal Growth.
532
, 125403.
研究成果
:
ジャーナルへの寄稿
›
学術誌
›
査読
Crystal Growth
100%
Fluid Flow
50%
Heat Transfer
50%
Electromagnetism
37%
Silicon
25%
2
被引用数 (Scopus)
Transient global modeling for the pulling process of Czochralski silicon crystal growth. I. Principles, formulation, and implementation of the model
Liu, X.
,
Harada, H.
,
Miyamura, Y.
,
Han, X. F.
,
Nakano, S.
,
Nishizawa, S. I.
&
Kakimoto, K.
,
2月 15 2020
,
In:
Journal of Crystal Growth.
532
, 125405.
研究成果
:
ジャーナルへの寄稿
›
学術誌
›
査読
Silicon
100%
Transients
100%
Melt
75%
Magnetic Field
75%
Magnetic Fields
75%
4
被引用数 (Scopus)
Transient global modeling for the pulling process of Czochralski silicon crystal growth. II. Investigation on segregation of oxygen and carbon
Liu, X.
,
Harada, H.
,
Miyamura, Y.
,
Han, X. F.
,
Nakano, S.
,
Nishizawa, S. I.
&
Kakimoto, K.
,
2月 15 2020
,
In:
Journal of Crystal Growth.
532
, 125404.
研究成果
:
ジャーナルへの寄稿
›
学術誌
›
査読
Silicon
100%
Segregation
87%
Crystalline Material
62%
Crystal
62%
Procedure
50%
8
被引用数 (Scopus)