極薄GeO2界面層を有するZr系high-k/Geゲートスタック構造の形成

平山佳奈, 岩村義明, 上野隆二, 楊海貴, 王冬, 中島寛

研究成果: ジャーナルへの寄稿 › 学術誌 › 査読

寄稿の翻訳タイトル	Fabrication of Zr-Based High-k/Ge Gate Stack Structure with Ultra Thin GeO2 Interlayer
本文言語	日本語
ページ（範囲）	5-11
ページ数	7
ジャーナル	九州大学大学院総合理工学報告
巻	32
号	3
DOI	https://doi.org/10.15017/18541
出版ステータス	出版済み - 11月 2010

文献へのアクセス

@article{3bc88fe0edbd4d8e9b04874703c631ae,

title = "極薄GeO2界面層を有するZr系high-k/Geゲートスタック構造の形成",

author = "佳奈平山 and 義明岩村 and 隆二上野 and 海貴楊 and 冬王 and 寛中島",

year = "2010",

month = nov,

doi = "10.15017/18541",

language = "日本語",

volume = "32",

pages = "5--11",

journal = "九州大学大学院総合理工学報告",

issn = "1346-7883",

publisher = "Interdisciplinary Graduate School of Engineering Sciences, Kyushu University",

number = "3",

}

TY - JOUR

T1 - 極薄GeO2界面層を有するZr系high-k/Geゲートスタック構造の形成

AU - 平山, 佳奈

AU - 岩村, 義明

AU - 上野, 隆二

AU - 楊, 海貴

AU - 王, 冬

AU - 中島, 寛

PY - 2010/11

Y1 - 2010/11

U2 - 10.15017/18541

DO - 10.15017/18541

M3 - 学術誌

SN - 1346-7883

VL - 32

SP - 5

EP - 11

JO - 九州大学大学院総合理工学報告

JF - 九州大学大学院総合理工学報告

IS - 3

ER -