絶縁膜上における非晶質SiGeのインデント誘起固相成長

都甲薫, 佐道泰造, 宮尾正信

研究成果: ジャーナルへの寄稿 › 学術誌 › 査読

寄稿の翻訳タイトル	Indentation-Induced Solid-Phase Crystallization of SiGe on Insulator
本文言語	日本語
ページ（範囲）	31-34
ページ数	4
ジャーナル	電気学会研究会資料. EFM, 電子材料研究会
巻	2008
号	24
出版ステータス	出版済み - 9月 27 2008

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TY - JOUR

T1 - 絶縁膜上における非晶質SiGeのインデント誘起固相成長

AU - 都甲, 薫

AU - 佐道, 泰造

AU - 宮尾, 正信

PY - 2008/9/27

Y1 - 2008/9/27

UR - https://ci.nii.ac.jp/naid/10025649368

M3 - 学術誌

VL - 2008

SP - 31

EP - 34

JO - 電気学会研究会資料. EFM, 電子材料研究会

JF - 電気学会研究会資料. EFM, 電子材料研究会

IS - 24

ER -