高圧巨大ひずみ加工によるバルク状 Si および Ge 半導体のナノ結晶化と準安定相創成

研究成果: ジャーナルへの寄稿レビュー論文査読

本文言語日本語
ページ(範囲)706-711
ジャーナルまてりあ
60
11
DOI
出版ステータス出版済み - 11月 1 2021

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