0 - 56GHz GaAs MESFET gate-line-division distributed baseband amplifier IC with 3D transmission lines

S. Kimura, Y. Imai, S. Yamaguchi, K. Onodera

研究成果: Contribution to journalArticle査読

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抄録

A GaAs MESFET distributed baseband amplifier IC that uses a gate-line-division technique and 3D transmission lines is described. The amplifier IC has S11 < -13dB and S21 of 11.7dB in the 0 - 56GHz band. This is the widest band of all reported GaAs MESFET baseband amplifier ICs.

本文言語英語
ページ(範囲)93-95
ページ数3
ジャーナルElectronics Letters
33
1
DOI
出版ステータス出版済み - 1 2 1997
外部発表はい

All Science Journal Classification (ASJC) codes

  • 電子工学および電気工学

フィンガープリント

「0 - 56GHz GaAs MESFET gate-line-division distributed baseband amplifier IC with 3D transmission lines」の研究トピックを掘り下げます。これらがまとまってユニークなフィンガープリントを構成します。

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