0–90 GHz InAlAs/InGaAs/InP HEMT distributed based and amplifier 1C

S. Kimura, Y. Imai, Y. Umeda, T. Enoki

研究成果: Contribution to journalArticle査読

36 被引用数 (Scopus)

抄録

An InAIAs/lnGaAs/lnP HEMT distributed baseband amplifier IC that uses a new loss compensation technique for the drain artificial line is described. The amplifier 1C has a gain of 1OdB with a 0–90GHz bandwidth. This is the widest bandwidth among all reported baseband amplifier ICs to date.

本文言語英語
ページ(範囲)1430-1431
ページ数2
ジャーナルElectronics Letters
31
17
DOI
出版ステータス出版済み - 8 17 1995
外部発表はい

All Science Journal Classification (ASJC) codes

  • 電子工学および電気工学

フィンガープリント

「0–90 GHz InAlAs/InGaAs/InP HEMT distributed based and amplifier 1C」の研究トピックを掘り下げます。これらがまとまってユニークなフィンガープリントを構成します。

引用スタイル