20 Gbit/s monolithic photoreceiver consisting of a waveguide pin photodiode and HEMT distributed amplifier

K. Takahata, Y. Muramoto, H. Fukano, K. Kato, A. Kozen, O. Nakajima, S. Kimura, Y. Imai

研究成果: Contribution to journalArticle査読

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抄録

A monolithic photoreceiver OEIC for λ = 1.55μm consisting of a waveguide pin photodiode and an InAlAs/InGaAs HEMT distributed amplifier has been fabricated using a single-step MOVPE growth technique. It has a 3dB-down frequency of 20GHz and operates at 20Gbit/s with a sensitivity of-10.4dBm.

本文言語英語
ページ(範囲)1576-1577
ページ数2
ジャーナルElectronics Letters
33
18
DOI
出版ステータス出版済み - 8 28 1997
外部発表はい

All Science Journal Classification (ASJC) codes

  • 電子工学および電気工学

フィンガープリント

「20 Gbit/s monolithic photoreceiver consisting of a waveguide pin photodiode and HEMT distributed amplifier」の研究トピックを掘り下げます。これらがまとまってユニークなフィンガープリントを構成します。

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