3-7 GHz low power wide-band common gate low noise amplifier in 0.18μm CMOS process

A. I A Galal, Ramesh Pokharel, Haruichi Kanaya, K. Yoshida

研究成果: Chapter in Book/Report/Conference proceedingConference contribution

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抄録

An ultra-wide band low noise amplifier (LNA) is proposed. An UWB LNA from 3 7 GHz has been designed exploiting the wide band input matching of common gate and the high gain of cascode amplifier. The LNA has been fabricated in the standard 0.18μm CMOS process. The measured gain is 11.5dB from 3 GHz to 7 GHz, and noise figure is 3.5 dB. The measured input and output return loss is less than 11 dB of the entire band. The measured input third-order intercept point IIP3 is 2.5 dBm at 4 GHz. It consumes 9 mW from 1.8 V supply voltage.

本文言語英語
ホスト出版物のタイトル2010 Asia-Pacific Microwave Conference Proceedings, APMC 2010
ページ342-345
ページ数4
出版ステータス出版済み - 2010
イベント2010 Asia-Pacific Microwave Conference, APMC 2010 - Yokohama, 日本
継続期間: 12 7 201012 10 2010

その他

その他2010 Asia-Pacific Microwave Conference, APMC 2010
国/地域日本
CityYokohama
Period12/7/1012/10/10

All Science Journal Classification (ASJC) codes

  • 電子工学および電気工学

フィンガープリント

「3-7 GHz low power wide-band common gate low noise amplifier in 0.18μm CMOS process」の研究トピックを掘り下げます。これらがまとまってユニークなフィンガープリントを構成します。

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