A 10Gb/s burst-mode CDR IC in 0.13μm CMOS

Masafumi Nogawa, Kazuyoshi Nishimura, Shunji Kimura, Tomoaki Yoshida, Tomoaki Kawamura, Minoru Togashi, Kiyomi Kumozaki, Yusuke Ohtomo

研究成果: Contribution to journalConference article

8 引用 (Scopus)

抜粋

A 10Gb/s burst-mode CDR IC that is eight times faster than previous burst-mode ICs is fabricated in a 0.13μm CMOS process. It amplifies an AC-coupled input burst by means of an edge detection technique, and extracts a clock within 5UIs with a gated oscillator, It consumes 1.2W from a 2.5V supply.

元の言語英語
記事番号12.5
ページ(範囲)178-179+589
ジャーナルDigest of Technical Papers - IEEE International Solid-State Circuits Conference
48
出版物ステータス出版済み - 12 6 2005
外部発表Yes
イベント2005 IEEE International Solid-State Circuits Conference, ISSCC - San Francisco, CA, 米国
継続期間: 2 6 20052 10 2005

All Science Journal Classification (ASJC) codes

  • Electronic, Optical and Magnetic Materials
  • Electrical and Electronic Engineering

フィンガープリント A 10Gb/s burst-mode CDR IC in 0.13μm CMOS' の研究トピックを掘り下げます。これらはともに一意のフィンガープリントを構成します。

  • これを引用

    Nogawa, M., Nishimura, K., Kimura, S., Yoshida, T., Kawamura, T., Togashi, M., Kumozaki, K., & Ohtomo, Y. (2005). A 10Gb/s burst-mode CDR IC in 0.13μm CMOS. Digest of Technical Papers - IEEE International Solid-State Circuits Conference, 48, 178-179+589. [12.5].