A High PAE Stacked K-band Power Amplifier Using π-Phase Compensation Technique

研究成果: 書籍/レポート タイプへの寄稿会議への寄与

抄録

A three-Tunable low-pass π-phase compensator technique is proposed and employed in a K-band CMOS power amplifier (PA) to solve the phase shift problem at intermediate nodes of stacked transistor configurations (STCs). Also, it reduces the effects of harmonic signals that in turns, enhances the overall power added efficiency (PAE) of the PA. The PA consists of two stages i.e. driver and main stages, designed using 2-STCs in 180-nm CMOS technology. The fabricated PA achieved a power gain of 12.8 dB at 23 GHz, a maximum PAE of 18.3%, an output power of 1 dB compression point \left(\mathrm{P}{1 \mathrm{~dB}}\right) of 14.1 1 dBm, and saturated output power \left(\mathrm{P}{\text {sat }}\right) of 16.0 dBm while it consumes chip area of 0.604 mm2 including pads.

本文言語英語
ホスト出版物のタイトルRFIT 2022 - 2022 IEEE International Symposium on Radio-Frequency Integration Technology
出版社Institute of Electrical and Electronics Engineers Inc.
ページ42-44
ページ数3
ISBN(電子版)9781665466493
DOI
出版ステータス出版済み - 2022
イベント2022 IEEE International Symposium on Radio-Frequency Integration Technology, RFIT 2022 - Busan, 韓国
継続期間: 8月 29 20228月 31 2022

出版物シリーズ

名前RFIT 2022 - 2022 IEEE International Symposium on Radio-Frequency Integration Technology

会議

会議2022 IEEE International Symposium on Radio-Frequency Integration Technology, RFIT 2022
国/地域韓国
CityBusan
Period8/29/228/31/22

!!!All Science Journal Classification (ASJC) codes

  • コンピュータ ネットワークおよび通信
  • ハードウェアとアーキテクチャ
  • 信号処理
  • 電子工学および電気工学
  • 器械工学

フィンガープリント

「A High PAE Stacked K-band Power Amplifier Using π-Phase Compensation Technique」の研究トピックを掘り下げます。これらがまとまってユニークなフィンガープリントを構成します。

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