A new theoretical approach to adsorption-desorption behavior of Ga on GaAs surfaces

Y. Kangawa, T. Ito, A. Taguchi, K. Shiraishi, T. Ohachi

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抄録

We propose a new theoretical approach for studying adsorption-desorption behavior of atoms on semiconductor surfaces. The new theoretical approach based on the ab initio calculations incorporates the free energy of gas phase; therefore we can calculate how adsorption and desorption depends on growth temperature and beam equivalent pressure (BEP). The versatility of the new theoretical approach was confirmed by the calculation of Ga adsorption-desorption transition temperatures and transition BEPs on the GaAs(0 0 1)-(4 × 2)β2 Ga-rich surface. This new approach is feasible to predict how adsorption and desorption depend on the growth conditions.

本文言語英語
ページ(範囲)178-181
ページ数4
ジャーナルSurface Science
493
1-3
DOI
出版ステータス出版済み - 11 1 2001
外部発表はい

All Science Journal Classification (ASJC) codes

  • 凝縮系物理学
  • 表面および界面
  • 表面、皮膜および薄膜
  • 材料化学

フィンガープリント

「A new theoretical approach to adsorption-desorption behavior of Ga on GaAs surfaces」の研究トピックを掘り下げます。これらがまとまってユニークなフィンガープリントを構成します。

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