抄録
By exploiting the active multimode interferometer concept, semiconductor optical amplifiers with improvements in gain of 2 dB and in saturation output power of 5 dB were realized in an InGasAsP active layer on InP. This new concept enhances the active are while maintaining a regular single-transverse-mode output, with a relatively simple device structure.
本文言語 | 英語 |
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ページ(範囲) | 1218-1220 |
ページ数 | 3 |
ジャーナル | Electronics Letters |
巻 | 36 |
号 | 14 |
DOI | |
出版ステータス | 出版済み - 7月 6 2000 |
外部発表 | はい |
!!!All Science Journal Classification (ASJC) codes
- 電子工学および電気工学