ガラス上におけるSiGe薄膜のアルミニウム誘起結晶化とその成長メカニズム

川畑 直之, 黒澤 昌志, 佐道 泰造, 宮尾 正信

研究成果: Contribution to journalArticle査読

抄録

Large grain polycrystalline silicon-germanium (poly-SiGe) with controlled crystal orientation on glass substrates is required to achieve high speed thin-film transistors and high-efficiency thin-film solar cells. For this purpose, we have developed an advanced Al-induced crystallization (AIC) technique by controlling the interfacial oxide layers. As a results, homogeneous and large-grained (>10 μm) AIC growth was achieved for samples with the whole Ge fractions (0-100%). In addition, we evaluated crystal orientation of the poly-SiGe and discuss the growth mechanism.
寄稿の翻訳タイトルAl-Induced Crystallization of SiGe thin-films on glass and its growth mechanism
本文言語Japanese
ページ(範囲)13-17
ページ数5
ジャーナルIEICE technical report
110
16
出版ステータス出版済み - 4 16 2010

フィンガープリント 「ガラス上におけるSiGe薄膜のアルミニウム誘起結晶化とその成長メカニズム」の研究トピックを掘り下げます。これらがまとまってユニークなフィンガープリントを構成します。

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