Aligned carbon nanotube film self-organized on a SiC wafer

M. Kusunoki, J. Shibata, M. Rokkaku, T. Hirayama

研究成果: ジャーナルへの寄稿学術誌査読

62 被引用数 (Scopus)

抄録

An aligned carbon nanotube film was fabricated on the surface of an α-SiC wafer by heating at 1700°C for 30 min, in a vacuum electric furnace due to the decomposition of SiC by selected desorption. It was found to be easy to produce a large-area carbon nanotube film on the SiC substrate. The (0002) lattice distance of graphite constructing the CNTs was obtained to be 0.344 nm from the electron diffraction pattern.

本文言語英語
ページ(範囲)L605-L606
ジャーナルJapanese Journal of Applied Physics, Part 2: Letters
37
5 B
DOI
出版ステータス出版済み - 1998
外部発表はい

!!!All Science Journal Classification (ASJC) codes

  • 工学(全般)
  • 物理学および天文学(その他)
  • 物理学および天文学(全般)

フィンガープリント

「Aligned carbon nanotube film self-organized on a SiC wafer」の研究トピックを掘り下げます。これらがまとまってユニークなフィンガープリントを構成します。

引用スタイル