Analysis of high mobility oxide thin-film transistors after a low temperature annealing process

Juan Paolo Bermundo, Yasuaki Ishikawa, Mami N. Fujii, Chaiyanan Kulchaisit, Hiroshi Ikenoue, Yukiharu Uraoka

研究成果: 書籍/レポート タイプへの寄稿会議への寄与

抄録

High mobilities of more than 40 cm2/Vs in amorphous InGaZnO (a-IGZO) thin-film transistors (TFT) were achieved through a low temperature excimer laser annealing process (ELA). The improvement mechanism was determined by analyzing the changes in electrical characteristics, composition, structure, and chemical bonding of the oxide semiconductor.

本文言語英語
ホスト出版物のタイトル23rd International Display Workshops in conjunction with Asia Display, IDW/AD 2016
出版社Society for Information Display
ページ839-840
ページ数2
2
ISBN(電子版)9781510845510
出版ステータス出版済み - 1月 1 2016
イベント23rd International Display Workshops in conjunction with Asia Display, IDW/AD 2016 - Fukuoka, 日本
継続期間: 12月 7 201612月 9 2016

その他

その他23rd International Display Workshops in conjunction with Asia Display, IDW/AD 2016
国/地域日本
CityFukuoka
Period12/7/1612/9/16

!!!All Science Journal Classification (ASJC) codes

  • ハードウェアとアーキテクチャ
  • 人間とコンピュータの相互作用
  • 電子材料、光学材料、および磁性材料
  • 電子工学および電気工学

フィンガープリント

「Analysis of high mobility oxide thin-film transistors after a low temperature annealing process」の研究トピックを掘り下げます。これらがまとまってユニークなフィンガープリントを構成します。

引用スタイル