Anisotropic plasma chemical vapor deposition of copper films in trenches

Kosuke Takenaka, Masao Onishi, Manabu Takenshita, Toshio Kinoshita, Kazunori Koga, Masaharu Shiratani, Yukio Watanabe

研究成果: ジャーナルへの寄稿会議記事査読

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抄録

An ion-assisted chemical vapor deposition method by which Cu is deposited preferentially from the bottom of trenches (anisotropic CVD) has been proposed in order to fill small via holes and trenches. By using Ar + H2 + C2H5OH[Cu(hfac)2] discharges with a ratio H2 / (H2 + Ar) = 83%, Cu is filled preferentially from the bottom of trenches without deposition on the sidewall and top surfaces. The deposition rate on the bottom surface of trenches is experimentally found to increase with decreasing its width.

本文言語英語
ページ(範囲)465-470
ページ数6
ジャーナルMaterials Research Society Symposium - Proceedings
766
DOI
出版ステータス出版済み - 2003
イベントMaterials, Technology and Reliability for Advanced Interconnects and Low-k Dielectrics - 2003 - San Francisco, CA, 米国
継続期間: 4月 21 20034月 25 2003

!!!All Science Journal Classification (ASJC) codes

  • 材料科学(全般)
  • 凝縮系物理学
  • 材料力学
  • 機械工学

フィンガープリント

「Anisotropic plasma chemical vapor deposition of copper films in trenches」の研究トピックを掘り下げます。これらがまとまってユニークなフィンガープリントを構成します。

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