Asymmetric distribution of oxygen concentration in the Si melt of a Czochralski system

K. W. Yi, K. Kakimoto, Z. G. Niu, M. Eguchi, H. Noguchi, S. Nakamura, K. Mukai

研究成果: Contribution to journalArticle査読

12 被引用数 (Scopus)

抄録

Oxygen concentration in the Si melt of a Czochralski system was measured by immersing an oxygen sensor in the melt. The measurement clarified the existence of an inhomogeneous distribution of oxygen whose pattern was similar to the temperature distribution in the melt. This result suggests that the oxygen profile in the Si melt is not axisymmetric, although the furnace structure is axisymmetric. This oxygen fluctuation is proposed to be one reason for striations appearing in the grown crystals.

本文言語英語
ページ(範囲)722-725
ページ数4
ジャーナルJournal of the Electrochemical Society
143
2
DOI
出版ステータス出版済み - 2 1996
外部発表はい

All Science Journal Classification (ASJC) codes

  • 電子材料、光学材料、および磁性材料
  • 再生可能エネルギー、持続可能性、環境
  • 表面、皮膜および薄膜
  • 電気化学
  • 材料化学

フィンガープリント

「Asymmetric distribution of oxygen concentration in the Si melt of a Czochralski system」の研究トピックを掘り下げます。これらがまとまってユニークなフィンガープリントを構成します。

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