Atom-migration effect during crystallization of a-SiGe films by SR soft x-ray irradiation

Shota Kino, Yuki Nonomura, Akira Heya, Naoto Matsuo, Kazuhiro Kanda, Shuji Miyamoto, Sho Amano, Takayasu Mochizuki, Kaoru Toko, Taizoh Sadoh, Masanobu Miyao

研究成果: Chapter in Book/Report/Conference proceedingConference contribution

2 被引用数 (Scopus)

抄録

We investigated a low-temperature crystallization of a- Si, a-Ge and a-Si1-xGex films by the synchrotron radiation (SR) soft X-ray irradiation at storage ring current of 25-220 mA. Crystallization of SiGe caused by the atomic migration during soft X-ray irradiation is effective as compared with the thermal annealing.

本文言語英語
ホスト出版物のタイトルSociety for Information Display - 18th International Display Workshops 2011, IDW'11
ページ659-662
ページ数4
出版ステータス出版済み - 2011
イベント18th International Display Workshops 2011, IDW 2011 - Nagoya, 日本
継続期間: 12 7 201112 9 2011

出版物シリーズ

名前Proceedings of the International Display Workshops
1
ISSN(印刷版)1883-2490

その他

その他18th International Display Workshops 2011, IDW 2011
国/地域日本
CityNagoya
Period12/7/1112/9/11

All Science Journal Classification (ASJC) codes

  • コンピュータ ビジョンおよびパターン認識
  • 人間とコンピュータの相互作用
  • 電子工学および電気工学
  • 電子材料、光学材料、および磁性材料
  • 放射線学、核医学およびイメージング

フィンガープリント

「Atom-migration effect during crystallization of a-SiGe films by SR soft x-ray irradiation」の研究トピックを掘り下げます。これらがまとまってユニークなフィンガープリントを構成します。

引用スタイル