Atomic-scale planarization of Ge (111), (110) and (100) surfaces

Tomonori Nishimura, Choong Hyun Lee, Takeaki Yajima, Kosuke Nagashio, Akira Toriumi

研究成果: 書籍/レポート タイプへの寄稿会議への寄与

抄録

The Ge surfaces are planarized in H2 annealing with atomically flat manner on (110) and (100) surfaces in addition to that on (111) surface. The terrace widths on (111) and (110) are almost controlled by the off-angle of the initial surface. The low thermal budget of 500°C in H2 to form the atomically flat surface is advantageous for the device fabrication on Ge (111) and (110) surfaces, because these surface orientations fortunately are expected to facilitate the high electron and hole mobility for n- and p-FETs, respectively.

本文言語英語
ホスト出版物のタイトル2014 7th International Silicon-Germanium Technology and Device Meeting, ISTDM 2014
出版社IEEE Computer Society
ページ127-128
ページ数2
ISBN(印刷版)9781479954285
DOI
出版ステータス出版済み - 2014
外部発表はい
イベント7th International Silicon-Germanium Technology and Device Meeting, ISTDM 2014 - Singapore, シンガポール
継続期間: 6月 2 20146月 4 2014

出版物シリーズ

名前2014 7th International Silicon-Germanium Technology and Device Meeting, ISTDM 2014

その他

その他7th International Silicon-Germanium Technology and Device Meeting, ISTDM 2014
国/地域シンガポール
CitySingapore
Period6/2/146/4/14

!!!All Science Journal Classification (ASJC) codes

  • 電子工学および電気工学

フィンガープリント

「Atomic-scale planarization of Ge (111), (110) and (100) surfaces」の研究トピックを掘り下げます。これらがまとまってユニークなフィンガープリントを構成します。

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