Bottom-up fabrication of redox-active metal complex oligomer wires on an H-terminated Si(111) surface

Hiroaki Maeda, Ryota Sakamoto, Yoshihiko Nishimori, Junya Sendo, Fumiyuki Toshimitsu, Yoshinori Yamanoi, Hiroshi Nishihara

研究成果: ジャーナルへの寄稿学術誌査読

37 被引用数 (Scopus)

抄録

Linear and branched Fe(tpy)2 complex oligomer wires were quantitatively formed on hydrogen-terminated silicon wafers by means of hydrosilylation of ethynylterpyridine and following stepwise coordination reactions, and the redox property of surface-attached species and its photosensitivity can be controlled by the doping density of the silicon wafers.

本文言語英語
ページ(範囲)8644-8646
ページ数3
ジャーナルChemical Communications
47
30
DOI
出版ステータス出版済み - 8月 14 2011
外部発表はい

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  • 触媒
  • 電子材料、光学材料、および磁性材料
  • セラミックおよび複合材料
  • 化学 (全般)
  • 表面、皮膜および薄膜
  • 金属および合金
  • 材料化学

フィンガープリント

「Bottom-up fabrication of redox-active metal complex oligomer wires on an H-terminated Si(111) surface」の研究トピックを掘り下げます。これらがまとまってユニークなフィンガープリントを構成します。

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