Bulk and surface effects on the polytype stability in SiC crystals

Frédéric Mercier, Shinichi Nishizawa

研究成果: Chapter in Book/Report/Conference proceedingConference contribution

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抄録

We investigated with ab initio calculations the 3C-, 6H-, 4H- and 2H-SiC polytypes. We discuss the geometry and the energetics of bulk and surface relaxed structures ((0001) Si face and the (000̄1) C face surfaces). The polytype stability is discussed regarding the bulk and surface effects.

本文言語英語
ホスト出版物のタイトルSilicon Carbide and Related Materials 2011, ICSCRM 2011
ページ41-44
ページ数4
DOI
出版ステータス出版済み - 5 28 2012
外部発表はい
イベント14th International Conference on Silicon Carbide and Related Materials 2011, ICSCRM 2011 - Cleveland, OH, 米国
継続期間: 9 11 20119 16 2011

出版物シリーズ

名前Materials Science Forum
717-720
ISSN(印刷版)0255-5476

その他

その他14th International Conference on Silicon Carbide and Related Materials 2011, ICSCRM 2011
Country米国
CityCleveland, OH
Period9/11/119/16/11

All Science Journal Classification (ASJC) codes

  • Materials Science(all)
  • Condensed Matter Physics
  • Mechanics of Materials
  • Mechanical Engineering

フィンガープリント 「Bulk and surface effects on the polytype stability in SiC crystals」の研究トピックを掘り下げます。これらがまとまってユニークなフィンガープリントを構成します。

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