Carrier compensation in O+ implanted n-type GaAs

T. Asano, P. L.F. Hemment

研究成果: Contribution to journalArticle査読

4 被引用数 (Scopus)

抄録

Results of electrical measurements on 1 MeV O+ implanted n-type GaAs are reported. After annealing the implanted material it is found that the free carrier compenasation rate (k), defined by Favennec[1] as the number of carriers removed per oxygen atom, can be dependent upon both the starting material and the implanted dose.

本文言語英語
ページ(範囲)1089-1090
ページ数2
ジャーナルSolid-State Electronics
23
10
DOI
出版ステータス出版済み - 1 1 1980
外部発表はい

All Science Journal Classification (ASJC) codes

  • 電子材料、光学材料、および磁性材料
  • 凝縮系物理学
  • 電子工学および電気工学
  • 材料化学

フィンガープリント

「Carrier compensation in O<sup>+</sup> implanted n-type GaAs」の研究トピックを掘り下げます。これらがまとまってユニークなフィンガープリントを構成します。

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