Carrier-concentration-driven superconductor-to-insulator transition in YBa2Cu3O6 + x

K. Semba, A. Matsuda, M. Mukaida

研究成果: Contribution to journalConference article査読

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抄録

We have succeeded in controlling carrier concentration near the superconductor-to-insulator transition by sample annealing under the equilibrium oxygen pressure of YBa2Cu3O6 + x. Near the critical doping, below 60 K, we observed carrier-concentration-driven resistivity scaling of the pulsed-laser-deposited thin film of YBa2Cu3O6 + x indicating the large energy scale of the quantum phase fluctuation. This demonstrates that a considerable area in the phase diagram of the pseudo-gapped underdoped YBa2Cu3O6 + x is in the critical region of the quantum phase transition.

本文言語英語
ページ(範囲)904-905
ページ数2
ジャーナルPhysica B: Condensed Matter
281-282
DOI
出版ステータス出版済み - 2000
外部発表はい
イベントYamada Conference LI - The International Conference on Strongly Correlated Electron Systems (SCES '99) - Nagano, 日本
継続期間: 8 24 19998 28 1999

All Science Journal Classification (ASJC) codes

  • 電子材料、光学材料、および磁性材料
  • 凝縮系物理学
  • 電子工学および電気工学

フィンガープリント

「Carrier-concentration-driven superconductor-to-insulator transition in YBa<sub>2</sub>Cu<sub>3</sub>O<sub>6 + x</sub>」の研究トピックを掘り下げます。これらがまとまってユニークなフィンガープリントを構成します。

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