Characterization of disordered bonds in Si-implanted Ga 0.47In0.53As with laser Raman spectroscopy

K. Kakimoto, T. Katoda

研究成果: Contribution to journalArticle査読

8 被引用数 (Scopus)

抄録

Difference in degree of disorder introduced by ion implantation into In-As and Ga-As bonds in Ga0.47In0.53As was studied with laser Raman spectroscopy. The disorder is introduced more easily into the In-As bond than into the Ga-As one. The disorder is removed simultaneously from both bonds with annealing at a temperature higher than 600°C.

本文言語英語
ページ(範囲)811-813
ページ数3
ジャーナルApplied Physics Letters
42
9
DOI
出版ステータス出版済み - 1983
外部発表はい

All Science Journal Classification (ASJC) codes

  • 物理学および天文学(その他)

フィンガープリント

「Characterization of disordered bonds in Si-implanted Ga <sub>0.47</sub>In<sub>0.53</sub>As with laser Raman spectroscopy」の研究トピックを掘り下げます。これらがまとまってユニークなフィンガープリントを構成します。

引用スタイル