Characterization of Excimer-Laser Doping of a Poly-Si Thin Film with a Phosphoric-Acid Coating for Thin-Film-Transistor Fabrication

Kaname Imokawa, Nozomu Tanaka, Akira Suwa, Daisuke Nakamura, Taizoh Sadoh, Tetsuya Goto, Hiroshi Ikenoue

研究成果: 書籍/レポート タイプへの寄稿会議への寄与

抄録

We characterize poly-Si thin films doped by KrF excimer laser irradiation with a phosphoric-acid coating. In this method, implantation and dopant activation can be performed simultaneously without damage of the poly-Si crystallization. After the laser doping, the mobility, carrier concentration, activation ratio, and resistivity of poly-Si were 61 cm2/Vs, 1.5×1018 cm-3, 14.6 %, and 0.08 Ω.cm, respectively.

本文言語英語
ホスト出版物のタイトルAM-FPD 2018 - 25th International Workshop on Active-Matrix Flatpanel Displays and Devices
ホスト出版物のサブタイトルTFT Technologies and FPD Materials, Proceedings
出版社Institute of Electrical and Electronics Engineers Inc.
ISBN(印刷版)9784990875350
DOI
出版ステータス出版済み - 8月 15 2018
イベント25th International Workshop on Active-Matrix Flatpanel Displays and Devices - TFT Technologies and FPD Materials, AM-FPD 2018 - Kyoto, 日本
継続期間: 7月 3 20187月 6 2018

出版物シリーズ

名前AM-FPD 2018 - 25th International Workshop on Active-Matrix Flatpanel Displays and Devices: TFT Technologies and FPD Materials, Proceedings

その他

その他25th International Workshop on Active-Matrix Flatpanel Displays and Devices - TFT Technologies and FPD Materials, AM-FPD 2018
国/地域日本
CityKyoto
Period7/3/187/6/18

!!!All Science Journal Classification (ASJC) codes

  • メディア記述
  • 電子材料、光学材料、および磁性材料
  • 原子分子物理学および光学

フィンガープリント

「Characterization of Excimer-Laser Doping of a Poly-Si Thin Film with a Phosphoric-Acid Coating for Thin-Film-Transistor Fabrication」の研究トピックを掘り下げます。これらがまとまってユニークなフィンガープリントを構成します。

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