Cluster-free B-doped a-Si:H films deposited using SiH4 + B 10H14 multi-hollow discharges

Kenta Nakahara, Yuki Kawashima, Muneharu Sato, Takeaki Matsunaga, Kousuke Yamamoto, William Makoto Nakamura, Daisuke Yamashita, Hidefumi Matsuzaki, Giichiro Uchida, Naho Itagaki, Kazunori Koga, Masaharu Shiratani

研究成果: 書籍/レポート タイプへの寄稿会議への寄与

抄録

We have deposited cluster-free B-doped a-Si:H films using a SiH 4=B10H14 multi-hollow discharge plasma CVD method. We have studied gas flow rate ratio R=[B10H 14]/[SiH4] dependence of deposition rate and absorbance of films together with plasma emission intensities. Deposition rate increases sharply from 0.8nm/s R=0.0 % to 2.2nm/s for R=0.53%, but SiH emission intensity is almost constant for R=0-2.0%. These results suggest BxH y radicals enhance surface reaction probability of SiH3 radicals. The optical bandgap of films is around 1.9eV, being larger than that of conventional B-doped films.

本文言語英語
ホスト出版物のタイトルTENCON 2010 - 2010 IEEE Region 10 Conference
ページ2216-2218
ページ数3
DOI
出版ステータス出版済み - 12月 1 2010
イベント2010 IEEE Region 10 Conference, TENCON 2010 - Fukuoka, 日本
継続期間: 11月 21 201011月 24 2010

その他

その他2010 IEEE Region 10 Conference, TENCON 2010
国/地域日本
CityFukuoka
Period11/21/1011/24/10

!!!All Science Journal Classification (ASJC) codes

  • コンピュータ サイエンスの応用
  • 電子工学および電気工学

フィンガープリント

「Cluster-free B-doped a-Si:H films deposited using SiH4 + B 10H14 multi-hollow discharges」の研究トピックを掘り下げます。これらがまとまってユニークなフィンガープリントを構成します。

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