CMOS ultra-wideband low noise amplifier (UWB-LNA) using symmetric 3D RF integrated inductor

K. Yousef, H. Jia, R. Pokharel, A. Allam, M. Ragab, H. Kanaya, K. Yoshida

研究成果: Chapter in Book/Report/Conference proceedingConference contribution

4 被引用数 (Scopus)

抄録

This paper presents the design of a 2-16 GHz ultra wideband low noise amplifier (UWB LNA). The proposed UWB LNA employs a symmetric 3D RF integrated inductor. The UWB LNA has a gain of 11 ± 1.0 dB with NF less than 3.25 dB. Good input and output impedance matching and good isolation are achieved over the operating frequency band. The proposed UWB LNA is driven from a 1.8V supply. This UWB LNA is designed and simulated in the standard 0.18 μm CMOS technology.

本文言語英語
ホスト出版物のタイトル2013 IEEE International Conference on Ultra-Wideband, ICUWB 2013
ページ267-269
ページ数3
DOI
出版ステータス出版済み - 12 1 2013
イベント2013 IEEE International Conference on Ultra-Wideband, ICUWB 2013 - Sydney, NSW, オーストラリア
継続期間: 9 15 20139 18 2013

出版物シリーズ

名前2013 IEEE International Conference on Ultra-Wideband, ICUWB 2013

その他

その他2013 IEEE International Conference on Ultra-Wideband, ICUWB 2013
Countryオーストラリア
CitySydney, NSW
Period9/15/139/18/13

All Science Journal Classification (ASJC) codes

  • Computer Networks and Communications

フィンガープリント 「CMOS ultra-wideband low noise amplifier (UWB-LNA) using symmetric 3D RF integrated inductor」の研究トピックを掘り下げます。これらがまとまってユニークなフィンガープリントを構成します。

引用スタイル