Comparative design of extremely low phase noise oscillator in Class-B and Class-C by integrating film bulk acoustic resonator (FBAR) on CMOS wafer for low power applications

Ramesh K. Pokharel, G. Zhang, S. Amalina, Kousuke Hikichi, Shuji Tanaka, Ken Ya Hashimoto, Shinji Taniguchi

研究成果: 書籍/レポート タイプへの寄稿会議への寄与

2 被引用数 (Scopus)

抄録

This paper presents the comparative design of a CMOS cross-coupled oscillator in class-B and Class-C topology, respectively using film bulk acoustic resonator (FBAR) in order to improve the phase noise and power consumption. The design issues such as low frequency stability, phase noise issues and optimization method of FBAR on a CMOS wafer will will be discussed. Experiment results and performance comparision will be discussed.

本文言語英語
ホスト出版物のタイトルIEEE MTT-S International Microwave and RF Conference 2015, IMaRC 2015
出版社Institute of Electrical and Electronics Engineers Inc.
ページ316-319
ページ数4
ISBN(電子版)9781509001569
DOI
出版ステータス出版済み - 2月 17 2016
イベントIEEE MTT-S International Microwave and RF Conference, IMaRC 2015 - Hyderabad, インド
継続期間: 12月 10 201512月 12 2015

出版物シリーズ

名前IEEE MTT-S International Microwave and RF Conference 2015, IMaRC 2015

その他

その他IEEE MTT-S International Microwave and RF Conference, IMaRC 2015
国/地域インド
CityHyderabad
Period12/10/1512/12/15

!!!All Science Journal Classification (ASJC) codes

  • コンピュータ ネットワークおよび通信

フィンガープリント

「Comparative design of extremely low phase noise oscillator in Class-B and Class-C by integrating film bulk acoustic resonator (FBAR) on CMOS wafer for low power applications」の研究トピックを掘り下げます。これらがまとまってユニークなフィンガープリントを構成します。

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