Crystallization mechanism of thick a-Si 0.5Ge 0.5 film by excimer laser annealing

Shota Kino, Yuki Nonomura, Akira Heya, Naoto Matsuo, Kazuhiro Kanda, Shuji Miyamoto, Sho Amano, Takayasu Mochizuki, Kaoru Toko, Taizoh Sadoh, Masanobu Miyao

研究成果: Chapter in Book/Report/Conference proceedingConference contribution

抄録

We investigated crystallization mechanism of a-Si 0.5Ge 0.5 film by excimer-laser annealing (ELA) at energy density of 50-70mJ/cm 2 in comparison with a method of synchrotron radiation soft X-ray irradiation at storage ring current of 50-220 mA. The nucleation mechanism of Si 0.5Ge 0.5 via ELA will be discussed by considering the soft X-ray method.

本文言語英語
ホスト出版物のタイトルIMFEDK 2012 - 2012 International Meeting for Future of Electron Devices, Kansai
ページ98-99
ページ数2
DOI
出版ステータス出版済み - 2012
イベント10th International Meeting for Future of Electron Devices, Kansai, IMFEDK 2012 - Osaka, 日本
継続期間: 5 9 20125 11 2012

出版物シリーズ

名前IMFEDK 2012 - 2012 International Meeting for Future of Electron Devices, Kansai

その他

その他10th International Meeting for Future of Electron Devices, Kansai, IMFEDK 2012
国/地域日本
CityOsaka
Period5/9/125/11/12

All Science Journal Classification (ASJC) codes

  • 電子工学および電気工学

フィンガープリント

「Crystallization mechanism of thick a-Si <sub>0.5</sub>Ge <sub>0.5</sub> film by excimer laser annealing」の研究トピックを掘り下げます。これらがまとまってユニークなフィンガープリントを構成します。

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