Defect formation during hetero-epitaxial growth of aluminum nitride thin films on 6H-silicon carbide by gas-source molecular beam epitaxy

Satoru Tanaka, R. Scott Kern, James Bentley, Robert F. Davis

研究成果: Contribution to journalArticle査読

38 被引用数 (Scopus)

フィンガープリント 「Defect formation during hetero-epitaxial growth of aluminum nitride thin films on 6H-silicon carbide by gas-source molecular beam epitaxy」の研究トピックを掘り下げます。これらがまとまってユニークなフィンガープリントを構成します。

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