Diffusion coefficient of interstitial iron in silicon

Takashi Isobe, Hiroshi Nakashima, Kimio Hashimoto

    研究成果: Contribution to journalArticle査読

    38 被引用数 (Scopus)

    抄録

    The in-depth profiles of iron in silicon diffused with iron at 800, 900, 1000 and 1070°C were investigated by DLTS measurements. The diffusion coefficient of interstitial iron in silicon was represented by the expression DFe=9.5×10-4 exp(-0.65/kT) cm2s-1 in the temperature range of 800-1070°C.

    本文言語英語
    ページ(範囲)1282-1283
    ページ数2
    ジャーナルJapanese Journal of Applied Physics
    28
    7 R
    DOI
    出版ステータス出版済み - 7 1989

    All Science Journal Classification (ASJC) codes

    • 工学(全般)
    • 物理学および天文学(全般)

    フィンガープリント

    「Diffusion coefficient of interstitial iron in silicon」の研究トピックを掘り下げます。これらがまとまってユニークなフィンガープリントを構成します。

    引用スタイル