Diffusion of electrically-active cobalt in silicon

Kouji Hashimoto, Hiroshi Nakashima, Kimio Hashimoto

    研究成果: Contribution to journalArticle査読

    5 被引用数 (Scopus)

    抄録

    The annealing of supersaturated cobalt in silicon was studied by measuring the cobalt concentration as a function of the annealing time. The diffusion of electrically-active cobalt in silicon is governed by the interstitial cobalt concentration.

    本文言語英語
    ページ(範囲)1776-1777
    ページ数2
    ジャーナルJapanese Journal of Applied Physics
    27
    9 R
    DOI
    出版ステータス出版済み - 9 1988

    All Science Journal Classification (ASJC) codes

    • Engineering(all)
    • Physics and Astronomy(all)

    フィンガープリント 「Diffusion of electrically-active cobalt in silicon」の研究トピックを掘り下げます。これらがまとまってユニークなフィンガープリントを構成します。

    引用スタイル