Diffusion of electrically-active cobalt in silicon

Kouji Hashimoto, Hiroshi Nakashima, Kimio Hashimoto

    研究成果: ジャーナルへの寄稿学術誌査読

    5 被引用数 (Scopus)

    抄録

    The annealing of supersaturated cobalt in silicon was studied by measuring the cobalt concentration as a function of the annealing time. The diffusion of electrically-active cobalt in silicon is governed by the interstitial cobalt concentration.

    本文言語英語
    ページ(範囲)1776-1777
    ページ数2
    ジャーナルJapanese Journal of Applied Physics
    27
    9 R
    DOI
    出版ステータス出版済み - 9月 1988

    !!!All Science Journal Classification (ASJC) codes

    • 工学(全般)
    • 物理学および天文学(全般)

    フィンガープリント

    「Diffusion of electrically-active cobalt in silicon」の研究トピックを掘り下げます。これらがまとまってユニークなフィンガープリントを構成します。

    引用スタイル