Effect of buffer layer structure on drain leakage current and current collapse phenomena in high-voltage GaN-HEMTs

Wataru Saito, Takao Noda, Masahiko Kuraguchi, Yoshiharu Takada, Kunio Tsuda, Yasunobu Saito, Ichiro Omura, Masakazu Yamaguchi

研究成果: ジャーナルへの寄稿学術誌査読

36 被引用数 (Scopus)

フィンガープリント

「Effect of buffer layer structure on drain leakage current and current collapse phenomena in high-voltage GaN-HEMTs」の研究トピックを掘り下げます。これらがまとまってユニークなフィンガープリントを構成します。

Engineering & Materials Science

Chemical Compounds