Effect of low frequency magnetic field on SiC solution growth

Frédéric Mercier, Shin Ichi Nishizawa

研究成果: 書籍/レポート タイプへの寄稿会議への寄与

抄録

We investigated numerically fluid dynamics and carbon transport in a 2 inches SiC solution growth with the presence of alternative magnetic fields. Buoyancy and Marangoni convection are taken into account. Our numerical results revealed that the magnetic field parameters have a strong impact on the melt convection. We also propose a solution to increase the mass transfer at the crystal growth front.

本文言語英語
ホスト出版物のタイトルSilicon Carbide and Related Materials 2010
ページ32-35
ページ数4
DOI
出版ステータス出版済み - 4月 28 2011
外部発表はい
イベント8th European Conference on Silicon Carbide and Related Materials, ECSCRM 2010 - Oslo, ノルウェー
継続期間: 8月 29 20109月 2 2010

出版物シリーズ

名前Materials Science Forum
679-680
ISSN(印刷版)0255-5476

その他

その他8th European Conference on Silicon Carbide and Related Materials, ECSCRM 2010
国/地域ノルウェー
CityOslo
Period8/29/109/2/10

!!!All Science Journal Classification (ASJC) codes

  • 材料科学(全般)
  • 凝縮系物理学
  • 材料力学
  • 機械工学

フィンガープリント

「Effect of low frequency magnetic field on SiC solution growth」の研究トピックを掘り下げます。これらがまとまってユニークなフィンガープリントを構成します。

引用スタイル