本文言語 | 英語 |
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ページ(範囲) | 03B004-1〜3 |
ジャーナル | Japanese Journal of Applied Physics, Part 2: Letters |
巻 | 48 |
号 | 3 |
出版ステータス | 出版済み - 3月 2009 |
Effects of Si layer thickness on solid-phase crystallization of stacked Ge/Si/SiO2 structures (Special issue: Active-matrix flatpanel displays and devices: TFT technologies and FPD materials)
Taizoh Sadoh, Hiroki Ohta, Masanobu Miyao
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