Electrical and optical properties of germanium-doped zinc oxide thin films

Makoto Arita, Mayu Yamaguchi, Masataka Masuda

    研究成果: ジャーナルへの寄稿学術誌査読

    19 被引用数 (Scopus)

    抄録

    Germanium-doped zinc oxide thin films with Ge content of 0-8.1 at% were deposited by an RF magnetron sputtering. The electrical and optical properties of the films were investigated. The Ge doping caused the reduction of resistivity of the films, and at about 3% of the Ge content showed the minimum resistivity of about 2 × 10-3 Ωcm. With high content of Ge, however, the crystalline structure changed and the resistivity of the film increased.

    本文言語英語
    ページ(範囲)3180-3183
    ページ数4
    ジャーナルMaterials Transactions
    45
    11
    DOI
    出版ステータス出版済み - 11月 2004

    !!!All Science Journal Classification (ASJC) codes

    • 材料科学(全般)
    • 凝縮系物理学
    • 材料力学
    • 機械工学

    フィンガープリント

    「Electrical and optical properties of germanium-doped zinc oxide thin films」の研究トピックを掘り下げます。これらがまとまってユニークなフィンガープリントを構成します。

    引用スタイル