Electroluminescence from ZnO nanowire-based heterojunction LED

Daisuke Nakamura, N. Tetsuyama, T. Shimogaki, M. Higashihata, Hiroshi Ikenoue, T. Okada

研究成果: 書籍/レポート タイプへの寄稿会議への寄与

抄録

We have demonstrated that fabrication of the ZnO nanowire/GaN hetero-junction light emitting diode (LED) by contacting the tip of the ZnO nanowires with the GaN film, and UV electroluminescence from the p-n junction. In this study, we fabricated the heterojunction by directly-growth of the ZnO nanowires on the GaN film using nanoparticleassisted pulsed laser deposition. Photoluminescence spectrum of the ZnO nanowires showed a weak near-band-edge ultraviolet (UV) emission and a visible broad emission, which was related to transition by ZnO defect state. We applied a selective laser irradiation to the p-n junction of the ZnO-based LED. The UV emission was strongly enhanced from the laser-irradiated p-n junction.

本文言語英語
ホスト出版物のタイトルOxide-Based Materials and Devices V
出版社SPIE
ISBN(印刷版)9780819499004
DOI
出版ステータス出版済み - 1月 1 2014
イベント5th Annual Oxide Based Materials and Devices Conference - San Francisco, CA, 米国
継続期間: 2月 2 20142月 5 2014

出版物シリーズ

名前Proceedings of SPIE - The International Society for Optical Engineering
8987
ISSN(印刷版)0277-786X
ISSN(電子版)1996-756X

その他

その他5th Annual Oxide Based Materials and Devices Conference
国/地域米国
CitySan Francisco, CA
Period2/2/142/5/14

!!!All Science Journal Classification (ASJC) codes

  • 電子材料、光学材料、および磁性材料
  • 凝縮系物理学
  • コンピュータ サイエンスの応用
  • 応用数学
  • 電子工学および電気工学

フィンガープリント

「Electroluminescence from ZnO nanowire-based heterojunction LED」の研究トピックを掘り下げます。これらがまとまってユニークなフィンガープリントを構成します。

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